Нанотехнологии в микроэлектронике
Интегральная электроника устремлена в будущее. Недаром эмблемой фирмы Intel были и люди в космических скафандрах (на самом деле они нужны были для защиты микросхем от банальной пыли и перхоти) и забавные марсиане, символизирующие «космические» достижения Intel в развитии микроэлектроники. Заметим, что только в 2002 году затраты Intel на проведение научных исследований составили более 4 миллиардов долларов.
Чтобы микропроцессоры с сотнями миллионов транзисторов не превратились попутно в микроволновые печи (а такая перспектива при работе процессоров на частотах в единицы ГГц, увы, есть), Intel ведет исследования в области нанотехнологий (1 нм = 10-9 м). Уже пал барьер геометрического разрешения в 0,1 мкм. Опытные образцы создаются уже по технологии 90 мкм. А с помощью установок фотолитографии с жесткими ультрафиолетовыми лучами (EUV) удалось получить разрешение менее 50 мкм.
Толщина диэлектрика полевых транзисторов ныне составляет менее 1,2 нм, что достигается созданием самоформирующихся слоев диэлектрика с толщиной в 3-5 атомных слоев! Уже нынешний уровень развития нанотехнологии позволяет создавать пластины и трубки толщиной в атомный слой, так что возможности этого направления почти безграничны.
