Трехмерные полевые транзисторыÄ

Вслед за недавно предложенными терагерцовыми транзисторами Intel объявила о создании новых трехмерных (и трехзатворных) полевых транзисторов (рис. 1.12).

Рис. 1.12. Структура (слева) и микрофотография (справа) трехмерного полевого микроскопического транзистора

Применение такой структуры позволило, не увеличивая общую площадь, занимаемую транзистором в целом, повысить площадь канала и увеличить крутизну транзистора S = DIc/DUз. А это увеличивает скорость переключения прибора.

Содержание раздела